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OPTEK Technology Inc.  1645 Wallace Drive, Carrollton, Texas 75006 
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Issue B.1 02/10
Page 2 of 3
OPTEK reserves the right to make changes at any time in order to improve design and to supply the best product possible.
Slotted Optical Switch
OPB857Z
Electrical Characteristics ( T
A
 = 25癈 )
SYMBOL
PARAMETER
MIN TYP MAX UNITS
TEST CONDITIONS
Input Diode (see OP140 or OP240 for additional information)
V
F
    Forward Voltage
-    -    1.70    V   I
F
 = 20 mA
I
R
    Reverse Current
-    -    100    礎   V
R
 = 2 V
 
Output Phototransistor (see OP550 for additional information)
V
(BR)CEO
  Collector-Emitter Breakdown Voltage    30    -     -     V   I
C
 = 1 mA, E
E
 = 0
V
(BR)ECO
  Emitter-Collector Breakdown Voltage   5.0    -     -     V   I
E
 = 100 礎, E
E
 = 0
I
CEO
   Collector Dark Current
-    -    100    nA   V
CE
 = 10 V, I
F
 = 0, E
E
 = 0
 
Coupled
V
CE(SAT)
  Collector-Emitter Saturation Voltage     -    -    0.40    V   I
C
 = 1.50 mA, I
F
 = 20 mA
I
C(ON)
   On-State Collector Current
1.5    -    17.0   mA   V
CE
 = 10 V, I
F
 = 20 mA
Notes:
(5) Derate linearly 1.67 mW/癈 above 25 ?C.
(6) All parameters tested using pulse techniques.
Absolute Maximum Ratings 
Storage & Operating Temperature Range
-40癈 to +80?C
Input Diode
 
Input Diode Power Dissipation
100 mW
( 5)
 
Input Diode Forward D.C. Current, T
A
= 25癈
50 mA
( 5)
 
Input Diode Peak Forward Pulse Current, T
A
= 25癈 (1祍 pulse width, 300pps)
1 A
Input Diode Reverse D.C. Voltage, T
A
= 25癈
2 V
Phototransistor
 
Power Dissipation
100 mW
( 5)
 
Collector - Emitter Voltage
30V
Emitter - Collector Voltage
5.0V
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